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- 时间: 2026年03月21日 07:19
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SODIMM插槽电路设计01_哔哩哔哩_bilibili
SO-DIMM硬件电路设计 1、内存条基本介绍
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SODIMM插槽电路设计01_哔哩哔哩_bilibili
SO-DIMM硬件电路设计 1、内存条基本介绍
随着软件程序和硬件平台的不断升级硬件和软件都对内存性能提出了更高要求为了提高速度并扩大容量内存以独立的封装形式出现因而诞生了—内存条。 DDR4内存金手指变的弯曲了?
平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题, DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。
如何选购内存条内存条的引脚数、容量和存取速度等
台式机的内存和笔记本内存是不通用的。内存的频段DDR3代的内存条频率一般为1333MHz和1600MHz。DDR4代的内存条频率一般为2400MHz和2666MHz,如果主板支持,也可以选择更高的如3200MHz的高频条。
3、奇偶性为了保证内存存取数据的的准确性有些内存条上有奇偶校验位如3片或9片装的内存条。如果您对电脑运行的准确性要求很高最好选择有奇偶校验功能的内存条。
4、价格虽然新版本内存条和旧版本内存条相比价格已经大幅下降但不同的品牌和性能价格还是有一些差别可根据自己的需要和预算情况选择适合自己的价位。另外购买内存时还须注意品牌和质量。
5、DDR4的内存和DDR3的内存的DIMM槽是不一样的。
确认方式一观察主板上的内存插槽,有的主板会在内存插槽旁边标注类型,同时, DDR4内存金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央,这从插槽上的隔断位置也能判断; 确认方式二查阅主板参数说明,在“内存规格”部分能够获得更详细的信息,包括主板所支持的内存类型、内存插槽配置、所支持的最大内存容量以及工作频率等。 2、内存条标签仅了解 3、DIMM基本介绍
DIMM全称Dual-Inline-Memory-Modules中文名叫双列直插式存储模块是指奔腾CPU推出后出现的新型内存条它提供了64位的数据通道。 SODIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module),即小型双列直插式内存模块。它是一种类型的计算机内存模组。相对于DIMM来说SO-DIMM具有更小的外形尺寸(大致是正常DIMM尺寸的一半)。因此SO-DIMM主要用于笔记本电脑、工控机等一些对尺寸有较高要求的使用场合。 SO-DIMM接口的DDR3内存标准的是204Pin。
SO-DIMM接口的DDR4内存标准的是260Pin。
DIMM条的多种型号可以参考下面链接 4、常见的DIMM分类及区别
目前使用的内存条类型DIMM主要有三种U-DIMM、R-DIMM和LR-DIMM。
4.1、U-DIMM
U-DIMMUnbuffered DIMM不带缓存的双列直插内存模块。
4.2、R-DIMM
R-DIMMRegistered DIMM带寄存器的双列直插内存模块。
4.3、LR-DIMM
LR-DIMMLoad Reduced DIMM低负载双列直插内存模块。
4.4、VLP RDIMM/VLP ECC UDIMM
全名Very Low Profile RDIMM / ECC UDIMM 窄条
特征1、高度低于正常的DIMM 2、占用空间更少散热更好但不适合高密度模块。
主要应用服务器刀片
4.5、U-DIMM、Reg-DIMM、LR-DIMM区别
UDIMM优点在于价格低廉。其缺点在于容量和频率较低容量最大支持4GB频率最大支持2133 MT/s。此外由于UDIMM只能在Unbuffered 模式工作不支持服务器内存满配(最大容量)无法最大程度发挥服务器性能。在应用场景上UDIMM不仅可用于服务器领域同样广泛运用于桌面市场。
5、SPD-串行检测
SPD是SERIAL PRESENCE DETECT的缩写中文意思是模组存在的串行检测。
内存条上存在一个EEPROM存储芯片The Serial Presence Detect SPD容量通常为128B或256B用于存储改内存条的一些基础信息。主板需要这些信息进行正确的配置以便正常使用内存条。
6、SO-DIMM的管脚定义(DDR3和DDR4 DIMM区别)
SO-DIMM的管脚可以分为电源线、时钟和复位、数据线、地址线和控制线。
DDR3 DQ[63:0]数据输入输出 64根
DM[7:0]数据掩码线 8根
DQS[7:0]、DQS[7:0] 数据选通线 16根 A[9:0]、A11、A[15:13]地址输入线 14根
A10/AP地址输入/自动预充电 1根
A12/BC 地址输入/突发传输 1根 CK0[1:0]、CK1[1:0]、CKE[1:0]时钟输入与使能 6根
RAS、CAS行列选通线 2根
WE写使能 1根
BA[2:0]SDRAM Bank地址线 3根
CS[1:0]芯片选择 2根
SCL、SDA、SA[1:0]SPD寻址和IIC通信线 4根
ODT[1:0]终端电阻控制线 2根
RESET复位引脚 1根
EVENT温度事件引脚 1根
TEST、NC保留未接12 3根 Vtt端接电压 2根
VDDSPDSPD的电源 1根
VDD/VSS核心电源和IO电源1852 70根
VREFDQ/VREFCA参考电压 2根 合计88162575204 DDR4 SO-DIMM 260pin
DQ[63:0]数据输入输出 64根
DM/DBI[7:0]数据掩码线 8根
DQS[7:0]、DQS[7:0] 数据选通线 16根
CB[7:0]DIMM ECC check bits 8根 A[9:0]、A[11: 13]地址输入线 12根
A10/AP地址输入/自动预充电 1根
A12/ BC_n 地址输入/ burst chop突发中止 1根
A14/ WE_n 地址输入/写使能 1根
A15/ CAS_n 地址输入/行选通线 1根
A16/ RAS_N 地址输入/列选通线 1根 CK0[1:0]、CK1[1:0]、CKE[1:0]时钟输入与使能 6根
BA[1:0]SDRAM Bank地址线 2根
SCL、SDAIIC通信线 2根
SA[2:0]SPD寻址 3根
ODT[1:0]终端电阻控制线 2根
RESET复位引脚 1根
EVENT温度事件引脚 1根
TEST、NC保留未接12 3根
BG[1:0]Bank选择 2根
CS0_N、CS1_N芯片选择 2根
CS2_N/C0/NC:芯片选择/chip ID 1根
CS3_N/C1/NC:芯片选择/chip ID 1根
ACT_n:命令激活信号 1根
ALERT_n:报警信号 1根
Parity: 命令/地址信号的奇偶校验使能 1根 Vtt端接电压 1根
VDDSPDSPD的电源 1根
VDD/VSS核心电源和IO电源1994 113根
VREFCA参考电压 1根
VPPDRAAM激活供电。 2根 合计961729118260 6.1、电源线
对于电源电压DDR SDRAM系统要求4个电源分别为VDDQ、VTT和VREF,VDDSPD。 管脚符号 类型 描述 VDD Supply 电源电压 DDR3:1.5V DDR4:1.2V VREFCA Supply 控制、命令、地址的参考电压。VDD/2 VREFDQ Supply 数据的参考电压。VDD/2 VSS Supply 地。 VTT Supply 地址、命令、控制、时钟的端接电压。VDD/2 VDDSPD Supply 串行EEPROM正极电源连接到连接器上的独立电源引脚支持3.0至3.6V(标称3.3V)工作。 VPP Supply DRAM激活供电2.5V 注意
1、DDR3 SO-DIMM有VREFCA和VREFDQ
DDR4 SO-DIMM有VREFCA
2、 DDR4 SO-DIMM才有VPP
3、新增了VDDSPD。 6.2、时钟(2对) 管脚符号 类型 描述 CK0_t、CK0_c Input 差分时钟输入。(所有的地址、控制、命令信号都是通过CK_t的上升沿与CK_c的下降沿进行采样的) CK1_t、CK1_c Input 差分时钟输入。(所有的地址、控制、命令信号都是通过CK_t的上升沿与CK_c的下降沿进行采样的) 6.3、数据组 管脚符号 类型 描述 DQ(0-63) I/O 数据输入/输出双向数据总线。 DML_B/ DBIL_B DMU_B/ DBIU_B I/O 数据掩码 DQS_t,DQS_c I/O 数据选通信号 CB0-CB7 I/O ECC校验位内存校错 6.4、地址、控制
地址和控制信号没有DQ的速度快以时钟的上升沿采样所以需要与时钟走线保持等长。
使用多片DDR的情况下地址和控制信号为一驱多的关系需要注意匹配方式。
地址 BA0 BA1 BA2 Input Bank地址输入。bank address inputs DDR3:BA[0-2] DDR4:BA[0-1] A0-A9 A10/AP, A11, A12/BC_N, A13 A14/WE_N A15/CAS_N A16/RAS_N Input 地址输入。 BG0 BG1 Input bank group address inputs Bank Group地址输入 DDR3:A0-A15 DDR4:A0-A16
控制 管脚符号 类型 描述 CKE0 CKE1 Input Active high。时钟信号使能。通过此电平可以控制芯片是否进入低功耗模式。 CS0_n CS1_n CS2_n CS3_n Input 片选。DDR芯片使能用于多个RANK时的RANK组选择。 DDR3:CS[0-1] DDR4:CS[0-3] ODT0 ODT1 Input Active high。片上终端使能。 RESET_N Input 复位低有效。正常操作过程中此信号为高电平。 EVENT_N OUT (OPEN DRAIN ) Active Low。 SDA I/O 这个双向引脚用于将数据输入或者输出SPD EEPROM。SDA总线必须连接一个电阻到VDDSPD作为上拉。 SCL IN 这个双向引脚用于将数据输入或者输出SPD EEPROM。SCL总线必须连接一个电阻到VDDSPD作为上拉。 SA0 SA1 SA2 Input Active Lowdevice address for the SPD Parity IN 命令/地址信号的奇偶校验使能可通过寄存器禁用或者使能。 ACT_N IN 命令激活信号这个信号为低电平时可以通过A[14:16]地址信号线选择激活命令的行地址。为高电平时Address信号线正常使用。 ALERT_N OUT Alert output 报警信号若命令/地址出现奇偶校验错误或者CRC错误该PIN脚拉低告知DDR控制器。 看参考资料《4_20_19R18 UDIMM》
看参考资料《4_20_20R18 RDIMM》 7、SO-DIMM设计要点18条★
8、硬件实战设计 ★
8.1、K7-SODIMM-DDR3内存条接口硬件实战
8.2、ZCU102-XCZU9EG-FFVB1156-DDR4内存条接口硬件实战
8.3、ZCU111-XCZU28DR-FFVG1517-DDR4内存条接口硬件实战 9、DIMM PCB设计要点参考DDR3和DDR4
封装注意
//视频链接
DDR4 SODIMM的N种PCB封装正向反向距离_哔哩哔哩_bilibili
//
9.1、DDR3\DDR4 DIMM条介绍
以当下最流行的DDR4 DIMM为例进行说明。
DDR4 DIMM网络分组如下表所示
1数据线DQ63-DQ0、ECC7-ECC0、DQSP/N17-DQSP/N0、DBI/DCI
2时钟线两对CLKP/N
3地址线ADD17、ADD13- ADD0、BANK1、BANK0
4控制和命令RAS、CAS、WE、BG、CKE、ODT、CS、BG等
5其他杂线SDA、SCL、RST、ACT等。
9.2、DDR3\DDR4 DIMM条布局通用设计要求
DDR3\DDR4 DIMM条设计主要参考DEMO板由于存在不同DIMM的数量设计并不能全部COPY但大体可参考DEMO板进行设计PCB布局注意事项
1从CPU到DIMM的DDR4区域不要有其他任意电路模块放置
2两条DIMM的中心距离为7.5mm9.4mm之间
3一般使用插装的DIMM插座也有使用贴装的DIMM插座
4两个DIMM中间正面可以放置VDDIO滤波电容禁止背面放置
5Top层需要布钱一般情况下高CPU最近的DIMM通过Top层直接与CPU连接当然也有CPU最外层的管脚连接到不同的DIMM
6同一个通道的两条DIMM相邻布局放置
7布局主要参照DEMO板设计。
9.3、DDR3\DDR4 DIMM条布线通用设计要求
1DDR3\DDR4 DIMM注意等长。
2DDR3\DDR4 DIMM信号线间距大于6mil。
3在空间允许的情况下在DIMM条各DQS和DQ信号焊盘附近增加GND回流地过孔
4在DIMM条连接器处地址、控制、时钟等附近只有DDR3\DDR4电源管脚而没有地管脚时应以该DDR3\DDR4电源作为参考平面而DQS和DQ信号线只能参考地平面。
5禁止将VREF, VTT作为信号的参考平面虽然VREF和VTT电压相同但VTT的噪声比较大建议将VREF, VTT分开为不同的网络从不同的电源或者通过分压电路进行供电。 10、拓展
10.1、Molex更新DDR4 DIMM插座提供多种改进
10.2、内存条相关常见问题及解决方法
1、无法正常开机
2、计算机运行不稳定
3、混插后内存容量识别不正确
4、电脑无法正常启动
5、电脑选择了与主板不兼容的内存条
10.3、一般 DIMM 插槽安装准则
详细内容参考视频讲解
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